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压力传感器这使得其程度因子大于金属数百倍之多。n型硅的电阻变化主要是由于其三个导带谷对的位移所造成不同迁移率的导带谷间的载子重新分布，进而使得电子在不同流动方向上的迁移率发生改变。其次是由于来自与导带谷形状的改变相关的等效(effective mass)的变化。压力传感器在p型硅中，此现象变得更复杂，庆阳压力传感器应用，而且也导致等效改变及电洞转换。
压力传感器不同于上述压电效应，压阻效应只产生阻抗变化，庆阳压力传感器定制，并不会产生电荷。大多数金属材料与半导体材料都被发现具有压阻效应。其中半导体材料中的压阻效应远大于金属。压力传感器由于硅是现今集成电路的主要，以硅制作而成的压阻性元件的应用就变得非常有意义。的电阻变化不单是来自与应力有关的几何形变，庆阳压力传感器参数，而且也来自材料本身与应力相关的电阻，
陕西压力传感器压阻压力传感器一般通过引线接入惠斯登电桥中。压力传感器平时敏感芯体没有外加压力作用，电桥处于平衡状态（称为零位），当传感器受压后芯片电阻发生变化，电桥将失去平衡。若给电桥加一个恒定电流或电压电源，压力传感器，电桥将输出与压力对应的电压信号，压力传感器这样传感器的电阻变化通过电桥转换成压力信号输出。电桥检测出电阻值的变化，
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